
完美WM将出席2016石墨烯高峰论坛
- 分类:公司新闻
- 作者:泰州完美WM新能源办公室
- 来源:
- 发布时间:2016-04-01 22:25
- 访问量:
【概要描述】 为推进中国石墨烯等碳纳米材料的研究和产业发展,2016石墨烯高峰论坛将于4月14日在清华大学深圳研究生院举行。 本次论坛将继续以石墨烯基纳米碳材料的制备器件、工业化应用开发等为主题,多个国家和地区的知名学者和产业界人士,从学术和产业化视角探讨石墨烯及其他二维材料的研究进展和产业发展现状,为国内外杰出科学家与企业家搭建一个交流与合作的平台。 完美WM集团SUNANO GROUP也将出席本次论坛,完美WM作为我国首个石墨烯国家标准的第一起草单位和组长单位,除了与国内外专家学者交流之外,还会为大家介绍全球最尖端的多密度等离子体CVD系统-NEXTCVD。如果您正从事相关的工作,欢迎到现场与我们交流。 多密度等离子体CVD系统-NEXTCVD SUNANO多功能宽密度等离子体CVD结合了电感耦合和电容耦合辉光放电的优点,可在宽密度工艺范围(109-1013 cm-3)实现稳定的等离子体辅助CVD,具有优良的材料处理性能和广泛的应用范围,是目前全球功能最强大的等离子体CVD系统。 主要特点 l 主要用于石墨烯表面层数减薄、刻蚀、修饰、改性 l 多种工作气体下产生稳定的等离子体辉光放电: l 氩气、氢气、氮气、氧气、硅烷、硼烷、磷烷、锗烷、甲烷、氨气、六氟化 硫、四氟化碳、二氧化碳等等。 l 等离子体密度可调,变化范围大(109-1013 cm-3) l 可与磁控溅射同时工作形成共沉积(最多可与四个磁控溅射靶材形成等离子 体辅助沉积),因而可沉积多种多样的化合物薄膜 广泛的应用范围 l 光伏行业(氮化硅/非晶硅/微晶硅/等离子体织构与刻蚀) l 新型二维材料(石墨烯/二硫化钼等的表面改性及制备) l 半导体工艺(刻蚀工艺/氮化硅与二氧化硅工艺等) l 纳米材料的生长与纳米形貌的刻蚀构造 热烈欢迎世界各界人士莅临完美WM集团展台,沟通交流,共商合作大业!
完美WM将出席2016石墨烯高峰论坛
【概要描述】 为推进中国石墨烯等碳纳米材料的研究和产业发展,2016石墨烯高峰论坛将于4月14日在清华大学深圳研究生院举行。
本次论坛将继续以石墨烯基纳米碳材料的制备器件、工业化应用开发等为主题,多个国家和地区的知名学者和产业界人士,从学术和产业化视角探讨石墨烯及其他二维材料的研究进展和产业发展现状,为国内外杰出科学家与企业家搭建一个交流与合作的平台。
完美WM集团SUNANO GROUP也将出席本次论坛,完美WM作为我国首个石墨烯国家标准的第一起草单位和组长单位,除了与国内外专家学者交流之外,还会为大家介绍全球最尖端的多密度等离子体CVD系统-NEXTCVD。如果您正从事相关的工作,欢迎到现场与我们交流。
多密度等离子体CVD系统-NEXTCVD
SUNANO多功能宽密度等离子体CVD结合了电感耦合和电容耦合辉光放电的优点,可在宽密度工艺范围(109-1013 cm-3)实现稳定的等离子体辅助CVD,具有优良的材料处理性能和广泛的应用范围,是目前全球功能最强大的等离子体CVD系统。
主要特点
l 主要用于石墨烯表面层数减薄、刻蚀、修饰、改性
l 多种工作气体下产生稳定的等离子体辉光放电:
l 氩气、氢气、氮气、氧气、硅烷、硼烷、磷烷、锗烷、甲烷、氨气、六氟化 硫、四氟化碳、二氧化碳等等。
l 等离子体密度可调,变化范围大(109-1013 cm-3)
l 可与磁控溅射同时工作形成共沉积(最多可与四个磁控溅射靶材形成等离子 体辅助沉积),因而可沉积多种多样的化合物薄膜
广泛的应用范围
l 光伏行业(氮化硅/非晶硅/微晶硅/等离子体织构与刻蚀)
l 新型二维材料(石墨烯/二硫化钼等的表面改性及制备)
l 半导体工艺(刻蚀工艺/氮化硅与二氧化硅工艺等)
l 纳米材料的生长与纳米形貌的刻蚀构造
热烈欢迎世界各界人士莅临完美WM集团展台,沟通交流,共商合作大业!
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为推进中国石墨烯等碳纳米材料的研究和产业发展,2016石墨烯高峰论坛将于4月14日在清华大学深圳研究生院举行。
本次论坛将继续以石墨烯基纳米碳材料的制备器件、工业化应用开发等为主题,多个国家和地区的知名学者和产业界人士,从学术和产业化视角探讨石墨烯及其他二维材料的研究进展和产业发展现状,为国内外杰出科学家与企业家搭建一个交流与合作的平台。
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多密度等离子体CVD系统-NEXTCVD
SUNANO多功能宽密度等离子体CVD结合了电感耦合和电容耦合辉光放电的优点,可在宽密度工艺范围(109-1013 cm-3)实现稳定的等离子体辅助CVD,具有优良的材料处理性能和广泛的应用范围,是目前全球功能最强大的等离子体CVD系统。
主要特点
l 主要用于石墨烯表面层数减薄、刻蚀、修饰、改性
l 多种工作气体下产生稳定的等离子体辉光放电:
l 氩气、氢气、氮气、氧气、硅烷、硼烷、磷烷、锗烷、甲烷、氨气、六氟化 硫、四氟化碳、二氧化碳等等。
l 等离子体密度可调,变化范围大(109-1013 cm-3)
l 可与磁控溅射同时工作形成共沉积(最多可与四个磁控溅射靶材形成等离子 体辅助沉积),因而可沉积多种多样的化合物薄膜
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