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泰州市标准化协会召开2024年五届四次理事会暨会员大会

       4月22日上午，泰州市标准化协会召开2024年五届四次理事会暨会员大会。本次会议共有一百余名会员和嘉宾参会。        中国标准化专家委员会委员、江苏省首席科技传播专家蒋顺祥、江苏省标准化协会秘书长许峰、泰州市市场监管局标准化处处长姚弋、泰州市市场监管局原四级调研员张荣、泰州市标准化协会会长陈龙、泰州市标准化协会副会长肖刚林、王玉芸出席会议。泰州市标准化协会秘书长丁荣主持会议。        会议通过了年度工作报告和财务工作报告，选举增补泰州学院机电工程学院、江苏兰贝石仪器有限公司为理事单位。        会议宣读了中共泰州市科技社团委员会关于中共泰州市标准化协会设立支部委员会的批复，书记陈龙同志为支部委员会揭牌。  
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09
2022-03

【通知公告】关于对拟成立的全国纳米技术标准化技术委员会纳米检测技术分技术委员会进行公示的通知

发布时间： 2022-03--09
各有关单位： 根据《全国专业标准化技术委员会管理办法》有关要求，经研究，国家标准化管理委员会拟成立全国纳米技术标准化技术委员会纳米检测技术分技术委员会。 全国纳米技术标准化技术委员会第一届纳米检测技术分技术委员会拟由35名委员组成（见附件1），高思田任主任委员，方哲宇、丁荣任副主任委员，黄鹭任委员兼秘书长，秘书处由中国计量科学研究院承担。 全国纳米技术标准化技术委员会纳米检测技术分技术委员会主要负责纳米检测技术领域国家标准制修订工作，由全国纳米技术标准化技术委员会负责日常管理，国家标准化管理委员会负责业务指导。 现对拟成立的全国纳米技术标准化技术委员会纳米检测技术分技术委员会面向社会进行公示，截止时间为2022年4月7日。   附件：1、全国纳米技术标准化技术委员会第一届纳米检测技术分技术委员会委员名单            2、全国纳米技术标准化技术委员会纳米检测技术分技术委员会拟归口国家标准计划清单                                                                                                           2022年3月8日
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19
2017-12

【产品应用】世界上最保温的材料二硒化钨WSe2

发布时间： 2017-12--19
      世界上最保温的材料是什么呢?一般来说，热传导率最差的材料(或称为热绝缘体)是所谓的多孔状材料。热在晶体中是以声子的状态传递的．因此如果晶体的结构相当有规律，那么声子便可以轻易地传播到远处．也就是具有高的热传导率。反之，如果晶格原子结构的规律性很差．声子很快就会在晶格中将能量消耗掉．这时物质的热传导率自然就很差。       美国俄勒冈大学的化学系教授大卫?约翰逊(David c．J0hnson)发现．二硒化钨薄膜的热传导率比单晶态的二硒化钨更差．大概只有热传导率最好的钻石的10万分之一。这个新材料不但具有像多孔状物质那样的热传导率．更重要的是，它的密度很高．大概跟铜差不多。二硒化钨WSe2是世界上热传导率最低的材料。二硒化钨的热传导率低，表示系统中的热不易散失，换句话说，就是系统的能量转换效率会更高。因此这个新材料的应用．将很有可能大幅度提高能源的使用效率。完美WM集团低维材料在线91cailiao.cn，提供性能优异的WSe2晶体材料，纯度高达99.995%，机械剥离后可以获得单层，使得中国对该材料的研究，取得了重大的进步。        奥地利维也纳科技大学（Vienna University of Technology）的研究人员们首次开发出由二硒化钨（tungsten diselenide；WSe2）制做的二极体，根据实验显示，这种材料可被用于超薄的软性太阳能电池。二硒化钨（WSe2），主要的结构是由上下各一层硒原子连接中间1层钨原子所组成。这种WSe2材料就像石墨烯一样可吸收光线，所吸收的光线可用于产生电力。这种薄层的确又轻又薄，约有95%的光线都能穿过，但其余5%的十分之一光线都会被材料吸收，并转换成电力。因此，其内部效率相当高。如果多个超薄层彼此堆叠，这种入射光线的很大一部份都能有效加以利用──但有时这种高透明度可能带来有利的副作用。
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19
2017-12

【产品应用】二维过渡金属硫属化物的电场调控

发布时间： 2017-12--19
       众所周知，当物质尺度从三维的块体变成二维、甚至单原子层的时候，它往往能表现出新颖的物理特性。据完美WM集团工程师介绍，二维半导体材料，尤其是二维过渡金属硫化物，完美WM低维材料在线提供的二维过渡金属硫化物就因具有许多与其在块状形态下不同的特征颇受科学家们的青睐，比如：随着层数的减少，原本是间接带隙半导体的二维过渡金属硫化物就“摇身一变”成为直接带隙半导体。具有蜂窝状晶格结构并呈空间对称性破缺的单层MoS2，使之成为能谷电子学（valleytronics）的热点材料。这些优越的性能开启了二维过渡金属硫化物在光电子和电子器件研究方面的新篇章。基于对二维过渡金属硫化物的电场调控的最新进展，新加坡南洋理工大学刘政课题组就从光学性能、金属-绝缘体相变和能谷性能调控三个方面对其进行了详细的总结。        从光学性能调控的角度出发，理论计算证明，外加特定的电场，双层二硫化钼能实现从直接带隙半导体到间接带隙半导体的转变，使得其相应的发光和激子特性发生变化。单层二硫化钼内部电子浓度受到电场的作用发生变化，可以使材料的发光光谱在电中性激子和带电荷激子之间转换，改变激子结合能。结合外加电场在非线性光学性能领域对二维材料倍频的调控，二维过渡金属硫化物在光电器件方面的应用已经呼之欲出。        而在电学性能调控方面，通过提高二硫化钼等二维过渡金属硫化物的载流子浓度，可以实现其从半导体到金属的转变，人们甚至发现其在低温时表现出了超导的特性。利用二维强关联体系，利用电场调制二维超导材料转变温度也变成了可能。在TiSe2体系中，电场调控抑制了电荷密度波（CDW）态，同时使体系表现出超导态，这就为研究电场调控多体态提供了新的思路。        最值得期待的则是二维过渡金属硫化物在能谷性能调控方面的表现。双层二硫化钼能够在外加电场的作用下，利用自身结构特点实现对称性破缺并且进一步完成对能谷极化的调控。利用这一现象，材料能谷霍尔效应的电场调控同样可以被实现，这就昭示着制备出能谷器件的可能。此外，在块体WSe2表面，电场也可以引起对称性破缺，来产生并调节自旋或是能谷电流。在强电场的调制下，二维过渡金属硫化物的能谷性能就可以用来产生电致圆偏光。这些特质使人们在能谷电子学这一新兴研究领域向前迈了一大步。随着对二维过渡金属硫化物性能调控的深入研究，基于电场效应，结合并优化材料的光学、电学和能谷性能，相信新颖二维光电器件的设计和应用可指日而待，在广袤的科技田野中开出一朵新鲜绚烂的花。
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